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半导体导电型号鉴别仪 硅单晶材料PN测量仪
型号:SN/STZ-8
北京半导体导电型号鉴别仪主要技术指标:
1. 测量范围:硅单晶材料电阻率10-4~103Ω?cm
温差法:10-4~10Ω?cm
整流法:10~103Ω?cm,并对<0.1Ω?cm的材料具有声光报警功能。
2. 北京半导体导电型号鉴别仪可测量材料:半导体硅棒和硅片,及硅碎颗粒。
可测半导体材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3. 显示方式:P、N 灯显示。
4. 测试探头:手持式 探针间距3 mm 探针Φ1mm 高速钢
5. 电源:220V 50HZ 20W
6. 仪器尺寸:100×260×260主要技术指标:
1. 测量范围:硅单晶材料电阻率10-4~103Ω?cm
温差法:10-4~10Ω?cm
整流法:10~103Ω?cm,并对<0.1Ω?cm的材料具有声光报警功能。
2. 可测量材料:半导体硅棒和硅片,及硅碎颗粒。
可测半导体材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3. 显示方式:P、N 灯显示。
4. 测试探头:手持式 探针间距3 mm 探针Φ1mm 高速钢
5. 电源:220V 50HZ 20W
6. 仪器尺寸:100×260×260主要技术指标:
1. 测量范围:硅单晶材料电阻率10-4~103Ω?cm
温差法:10-4~10Ω?cm
整流法:10~103Ω?cm,并对<0.1Ω?cm的材料具有声光报警功能。
2. 可测量材料:半导体硅棒和硅片,及硅碎颗粒。
可测半导体材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3. 显示方式:P、N 灯显示。
4. 测试探头:手持式 探针间距3 mm 探针Φ1mm 高速钢
5. 电源:220V 50HZ 20W
6. 仪器尺寸:100×260×260主要技术指标:
1. 测量范围:硅单晶材料电阻率10-4~103Ω?cm
温差法:10-4~10Ω?cm
整流法:10~103Ω?cm,并对<0.1Ω?cm的材料具有声光报警功能。
2. 可测量材料:半导体硅棒和硅片,及硅碎颗粒。
可测半导体材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3. 显示方式:P、N 灯显示。
4. 测试探头:手持式 探针间距3 mm 探针Φ1mm 高速钢
5. 电源:220V 50HZ 20W
6. 仪器尺寸:100×260×260主要技术指标:
1. 测量范围:硅单晶材料电阻率10-4~103Ω?cm
温差法:10-4~10Ω?cm
整流法:10~103Ω?cm,并对<0.1Ω?cm的材料具有声光报警功能。
2. 可测量材料:半导体硅棒和硅片,及硅碎颗粒。
可测半导体材料尺寸:Φ15~Φ150 mm以上。
3. 显示方式:P、N 灯显示。
4. 测试探头:手持式 探针间距3 mm 探针Φ1mm 高速钢
5. 电源:220V 50HZ 20W
6. 仪器尺寸:100×260×260